南韩检方起诉5名三星电子前员工，涉嫌对中国大陆外泄10纳米DRAM(动态随机访问内存)芯片技术，并起诉中国长鑫存储研发团队的5名员工。
据韩联社报导，首尔中央地方检察厅资讯技术犯罪侦查部通报，以涉嫌违反《防止不正当竞争及商业秘密保护法》《产业技术保护法》对5名三星电子前员工提起逮捕起诉，并以相同罪名对中国长鑫存储研发团队的5名员工提起不逮捕起诉。
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南韩检方调查显示，长鑫存储成立后，立即聘请三星电子前部长A某担任研发室长。为获取三星电子独有的10纳米级DRAM工艺技术，A某牵头招募各内核工序技术骨干。在此过程中，三星电子前研究员B某将DRAM工艺内核技术PRP（制程配方）亲笔抄录后带离公司，随后跳槽至长鑫存储。此举让长鑫存储完整掌握了当时全球唯一的10纳米级DRAM全套工艺技术。
检方进一步查明，长鑫存储在吸纳多名三星电子前员工后，正式启动DRAM研发。研发期间，还通过合作商额外获取了SK海力士的半导体工艺相关技术。在掌握韩企两大内核半导体技术后，长鑫存储最终于2023年实现10纳米级DRAM量产，成为中国大陆首家、全球第四家掌握该技术的企业。
检方指出，此次技术外泄事件导致南韩内核产业技术流失，造成巨额经济损失。据检方基于全球市场份额变化的推算，三星电子仅2024年销售额就减少5兆韩元（约33.9亿美金）。若叠加该事件对南韩整体经济的后续负面影响，总损失额至少达数十兆韩元。