美国银行（BofA）的最新报告指出，全球PC大厂惠普，正计划将中国DRAM供应商「长鑫存储」纳入供应链，以缓解DRAM内存供应紧张的困境。
尤其在当前美光、三星等国际大厂供应缺口持续扩大，现有供应通路近乎穷尽背景下，惠普拟联合中国存储厂商推出面向亚欧市场的「限定版」产品，以确保不会引起美国政府的不满。
集微网报导，巴伦周刊分析师Tae kim也援引美国银行的研究报告指出，中国的NAND Flash和DRAM供应商可能会看到更大规模的被海外品牌客户采用，因为三星电子、SK海力士、美光等公司的供应限制，将使长鑫存储成为有吸引力的选择。
目前长鑫存储母公司长鑫科技正准备在中国A股科创板IPO，计划募资人民币295亿元，主要用于内存制造量产线技术升级改造项目、DRAM内存技术升级项目、动态随机访问内存前瞻技术研究与开发项目。
根据长鑫科技招股书披露的信息显示，目前已经是中国规模最大、技术最先进、布局最全的动态随机访问内存（DRAM）研发设计制造一体化企业，采用垂直集成制造（IDM）业务模式。
长鑫科技主要提供DRAM 晶圆、DRAM 芯片、DRAM 模块等多元化产品方案，覆盖DDR、LPDDR两大主流系列，目前已完成从DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X的产品覆盖和迭代，产品广泛应用于服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等市场领域。
在产能方面，目前长鑫科技在合肥、北京两地共拥 有3座12吋DRAM晶圆厂，产能规模到2026年约每月30万片，位居中国第一、全球第四。基于Omdia数据测算，按2025年第２季度DRAM销售额统计，长鑫科技的全球市占已增至3.97%，并将随着技术发展及产能建设实现进一步增长。
在长鑫科技披露的主要内核客户名单当中，包括阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米、传音、荣耀、OPPO、vivo等，但是缺乏海外龙头科技厂商。如果能够顺利进入惠普供应链，那么无疑将有助于扩大在海外市场的应用，提升品牌认可度和市占。
但是惠普等美国品牌制造商，采购长鑫存储的DRAM产品面临的最大障碍之一是美国法规，因为根据美国NDAA法（第5949条），禁止美国国防部使用来自中国的半导体。虽然，普通的商业设备对来自中国的半导体的集成没有限制，但是这依然会刺激美国的敏感神经。
所以，美国银行的报告也指出，惠普对长鑫存储DRAM模块的集成可能仅限于面向亚洲和欧洲发货的终端产品，这代表惠普希望通过这样的方式，来确保使用中国的DRAM模块不会引起美国政府的不满。