内存大厂美光（Micron）表示，内存芯片持续短缺情势在过去一季进一步加剧，同时重申由于AI基础建设所需的高端半导体需求暴增，这波供应吃紧情况将延续到今年之后。
美光全球营运运行副总裁巴提亚（Manish Bhatia）在上周五（16日）出席位于纽约州雪城附近一座1,000亿美元生产基地的动土典礼，随后接受访问时表示：「我们目前看到的短缺情况，真的前所未见。」这番说法也呼应了美光在去年12月所提出的类似预测。
巴提亚说，用于制造AI加速器的高带宽内存（HBM）正大量消耗整个产业可用产能，导致包括手机与PC在内传统市场面临严重内存供应短缺。
他说，PC与智能手机制造商已开始排队，希望能锁定2026年之后的内存芯片供应，而自驾车与人形机器人也将进一步推升相关零组件需求。
陆媒《界面新闻》上周五报导，由于内存成本上升，包括小米、OPPO与深圳传音控股在内的中国主要智能手机制造商正下修2026年出货目标，其中OPPO的下修幅度高达20%。上述三家公司皆未回应置评请求。
产业研究机构Counterpoint Research去年12月预估，由于内存芯片短缺推高成本并压缩产能，今年全球智能手机出货量可能年减2.1%。包括戴尔在内的PC制造商也警告，可能会受这波持续短缺影响。
在AI热潮带动下，全球内存芯片产业三大厂美光、SK海力士与三星电子的股价在2025年大涨。SK海力士表示，其2026年的芯片产能已全数售罄；美光也指出，其AI内存半导体在今年同样已满载接单。
为优先供应辉达等重要客户，美光在去年12月宣布将结束旗下Crucial消费型内存业务。AI产业对内存芯片近乎无止境的需求，也加快美光在美国与亚洲扩产脚步。
美光上周六宣布将斥资18亿美元收购力积电铜锣厂，此举可大幅缩短新工厂投产的时程。美光表示，将在 2027年下半年开始实质生产DRAM晶圆。
DRAM为辉达与英特尔等公司复杂处理器提供运算所需的运行环境，也是AI加速器高带宽内存能否高效运作的内核。
巴提亚在上周五的访谈中表示：「我们在亚洲厂区的重点，将是持续转向下一世代制程技术。」
至于添加的晶圆产能，他补充说，几乎将全面设于美国。
美光位于雪城附近的1,000亿美元投资案，规划设置四座DRAM晶圆厂，每一座约相当于10个足球场的面积，首批晶圆预计2030投产。
美光也将于总部所在地的爱达荷州Boise现有研发设施旁添加两座晶圆厂的产能，第一座爱达荷州新厂预定2027年投产，第二座工厂则仍在规划中。此外，美光也正在维吉尼亚州扩建并升级既有制造设施。
这些计划皆属于美光承诺将40%的DRAM制造移回美国本土的一环。美光在2024年靠这项计划获得62亿美元《芯片法案》补助，以及在建设期间可适用、目前提高至35%的租税减免。